简述 Briefly describe：
随着微电子技术的快速发展，集成电路芯片的集成度不断提高，芯片的特征尺寸越来越小，导致芯片内引线的寄生电阻和电容、延迟和功耗的增加。为了解决上述问题，集成电路技术由传统的二维（2D）平面逐渐向三维（3D）集成方向发展。3D 集成是指将多个芯片堆叠在一起，芯片间采用垂直通孔实现电连接的集成电路，这种技术已被广泛视为一种“超越摩尔”的途径。
晶圆键合技术是实现 3D 集成的一个重要的技术手段。传统晶圆键合需要进行高温退火工艺，而过高的温度会带来很多严重的负面效应。这些负面效应包括：
（1）过高的温度会导致某些对温度敏感 IC 和 MEMS 器件的性能劣化，甚至失效；
（2）高温键合时会产生热应力，在完成键合冷却后热应力无法释放，会造成器件工作的稳定性和可靠性降低。尤其是热失配较大的异质材料键合，由于热膨胀系数存在差别，导致温度梯度出现而造成比较大的热应力，热应力又会产生缺陷和位错，使晶圆破裂或完全不能键合；
（3）掺杂的晶圆进行键合时，高温键合过程会使掺杂物质重新扩散，这将改变杂质分布和电学特性。此外，如果晶圆的界面存在一些污染和缺陷，在高温的作用下也会扩散开，使产品失效区域变得不可控，同时使键合界面电学特性劣化。这些问题严重限制了晶圆键合应用的范围，因此开发适用于 MEMS 和 IC 领域的低温键合设备技术是非常重要的。
应用结果 Application results：
性能指标介绍 Performance Metrics Introduction：
1、等离子体活化模块
射频电源：上电极400KHz@1000W，下电极40KHz@500W。
2、清洗模块
主轴旋转速度：0~3000rpm（±1rpm）；
兆声喷嘴：频率为1MHz，兆声输出功率0~40W连续可调。
3、键合对准模块
对准精度：±2μm。
4、键合模块
温度范围：室温~500℃；
温控精度：±2%；
最大压力：30KN；
压力均匀性：±5%；
极限真空：1x10-3Pa。
5、红外检测模块
IR-LED光源：波长1350nm；
高清IR相机：波长范围900~1700nm。
6、晶圆传输模块
晶圆尺寸：4/6/8英寸。
7、夹具传输机械手
重复定位精度：±0.05mm。
8、Cassette
工位配置：2进2出。
9、光学寻边模块
X-Z轴：X轴行程8mm，Z轴行程15.5mm，重复定位精度 ±0.1mm；
θ轴：360°旋转，定位精度±0.2°。
性能优势 Briefly describe：
1、等离子体
采用电容耦合等离子体对硅晶圆进行表面处理，相较于其他等离子体技术，其等离子体密度更高，对晶圆伤害小，能够获得更高羟基密度，活化效果好。
2、清洗模块
清洗模块使用兆声源对清洗液体施加高频震荡能量波，清洗液体作为媒介将能量波作用于硅晶圆表面，使得亚微米级的颗粒沾污脱离晶圆表面，以清除来料晶圆本身的沾污和等离子体活化过程中产生的极小颗粒。
3、键合对准模块
键合对准模块通过精密的光学系统和位移系统，可实现±2μm的对准精度。
4、键合模块
键合模块具备高精度的压力均匀性和温控精度，有利于提升键合良率。
5、可定制
可灵活配置晶圆传输模块、夹具传输机械手、cassette、光学寻边模块、等离子体活化模块、兆声清洗模块、键合对准模块、键合模块、红外检测模块等功能模块。
应用领域 Application Fields：
先进封装、MEMS传感器、光电子器件、微流控芯片、功率器件。
