简述 Briefly describe：
原位键合机（室温键合机）专用于实现材料的室温直接键合。其工作原理是在真空环境下，
通过离子束清洁并活化材料表面，有效去除氧化层与污染物，使表面原子处于高活性态。随后，样品可在接触后形成原子级结合。此技术避免了高温过程与中间层的引入，热应力小，洁净度高，尤其适用于半导体、MEMS、3D集成中金属、半导体及陶瓷等材料的高强度键合。
应用结果 Application results：
性能指标介绍 Performance Metrics Introduction：
衬底尺寸：4英寸圆片；
衬底类型：硅、玻璃等；
温度范围：室温；
键合压力：≥300kgf；
压力均匀性：±5%；
离子源加速电压：500~1500V；
离子源电流：0~5uA；
真空度：<1.33x10-3Pa。
性能优势 Briefly describe：
1、霍尔离子源
采用有独特磁路和放电区结构设计的霍尔离子源，可实现低能量、大束流、空间
均匀性强的等离子体。
2、室温键合工艺
室温键合工艺技术避免了高温过程与中间层的引入，热应力更小，提升键合质量。
3、静电吸盘
配置静电吸盘，吸附搬运样品时不会因吸力过大或不均匀而导致样品表面残留吸
痕，更适合脆弱的超薄器件。
应用领域Application Fields：
3D集成、光电子、功率器件。
