简述 Briefly describe：
光刻机利用特定波长的光源对有机聚合物（通常称为电子抗蚀剂或光刻胶）进行曝光，曝光后的光刻胶，其物理化学性质发生变化，在一定的溶剂中形成良溶或非良溶区域，从而在抗蚀剂上形成精细图形。
性能指标介绍Performance Metrics Introduction：
功能：实现曝光、正面对准功能；
衬底尺寸：4、6、8英寸，可向下兼容，单面对准（可根据客户要求评估方片等尺寸）；
衬底厚度：0.3mm ~ 1.5mm（最大支持10mm，需定制）；
掩模版尺寸：5、7、9英寸；
光源波长：365nm UVLED光源（可定制365nm、405nm和436nm混合光源）；
光源光强：80mW/cm²；
光照均匀性：≥97%（Ф202mm范围/202*202mm范围）；
对准精度：正面对准精度可以达到±0.5μm；
光刻分辨率：0.8μm（真空接触式曝光，胶厚1μm）；
光刻方式：接触式光刻（软接触、硬接触、真空接触）、接近式光刻；
光刻时间：0.1s ~ 3000s；
工作台位移指标：
①X轴电动平移台：行程±10mm；定位精度±0.3μm；
②Y轴电动平移台：行程±10mm；定位精度±0.3μm；
③Z轴电动升降台：行程50mm；导程1.58mm；定位精度1μm；
④角度电动旋转台：行程±10°；定位精度±0.003°；
视觉系统指标：
①工业镜头：分辨率3.7μm；同轴点光源（黄光）；
②工业相机：传感器尺寸1/2.5″；采集速度15帧/s；
③X轴电动平移台：行程±25mm；
④Y轴电动平移台：行程±15mm；
⑤Z轴电动平移台：行程±6mm；
性能优势Briefly describe：
1、该设备使用365nm UV LED平行光光源，节能省耗；光源单色性和准直性好，可以实现深宽比结构图形。可根据客户需求定制365nm、405nm和436nm混合光源；
2、设备支持定制，可以实现厚度较大，形状不规则的衬底曝光；
3、购买该设备后，我司会提供各类工艺方案协助客户更好的实现技术；
4、该设备兼容多种曝光模式：软接触、硬接触、真空接触、接近式光刻；
5、该设备可向下兼容多尺寸衬底，例如6寸光刻机可向下兼容2寸、4寸衬底或其他小尺寸不规则碎片等；
6、该设备目前使用半自动对准模式（正面对准/双面对准），后续可升级软件以实现自动对准；
7、该设备可兼容键合对准模块。
应用领域Application Fields：
集成电路制造、先进封装、MEMS、LED、微流控芯片。
